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1月26日至28日,2021年营收前三名的半导体企业三星、英特尔、SK海力士接连发布年报。虽然三家企业多多少少在年报中表示供应链风险和芯片短缺问题对业务发展带来不利影响,但也披露了技术升级、投资扩产、优化结构以及提升盈利能力等一系列措施,意欲在2022年取得竞争优势。
三星重回巅峰
三星电子年报显示,2021年三星半导体业务营收94.16万亿韩元(按1月30日汇率换算,约合778亿美元;按照Gartner发布营收Top10厂商的时间1月19日收盘汇率计算,约合792.5亿美元),年增29%。其中,存储业务营收72.60万亿韩元(约合600亿美元),年增31%。从年报来看,半导体是三星电子2021年营收增长幅度最大的业务,存储是三星电子2021年营收增长幅度最大的产品。
但也需看到,三星存储业务的营收在2021年第四季度已经出现了7%的环比下降,原因包括一次性向员工支付的激励基金影响了财务数据、全球半导体供应链问题以及平均售价的下降等。相比之下,代工部门在2021年第四季度迎来营收新高,但由于更先进的制程导致成本上升,获利略有下滑。
面对景气不定的存储业务,三星在年报中表示,将在2022年第一季度采取稳中有进的策略,通过优化产品组合和提升生产灵活度来规避风险。
三星预计,2022年第一季度的存储市场仍面临不确定性挑战,但服务器、PC以及手机新品发布等潜在的需求增长会缓解季节性疲软的情况。其中,DRAM业务会通过增加先进制程的采用比例,以及积极迎合客户需求来优化产品组合。NAND业务会提升生产的灵活度,以最小化供应链中断的风险。在芯片设计及代工方面,S.LSI(系统大规模集成电路)业务将聚焦面向关键客户旗舰产品的SoC(系统集成芯片)和CIS(CMOS图像传感器)供应。代工业务会通过提升先进制程生产和量产的稳定性,来实现供应的扩张。
将时间线拉长到2022年全年,三星表示,将一手提升存储业务的附加值,一手提升在先进制程的话语权,大规模生产面向3nm的GAA架构芯片。
在存储方面,三星将受益于新款CPU的采用、新增的IT投资以及移动市场需求的拉动。基于高附加值的产品组合、EUV技术的采用,三星将提升在存储市场的领导力,并通过扩展DDR5、LPDDR5等尖端接口主动满足市场需求。
在代工方面,三星将通过大规模生产第一代GAA工艺扩大技术领先地位,并通过扩大对全球客户的供应实现超越市场整体水平的增长。
英特尔积极投资
2021年,英特尔的营收达到创纪录的790亿美元,年增1%;净利润199亿美元,年跌5%。
虽然营收增长显得不温不火,英特尔在2021年的投资策略却相当激进,资本投资达到187亿美元。其投资重点为扩充芯片制造产能与加速制程技术发展,以更好地支持IDM 2.0策略的实施,研发投入也进一步提升至152亿美元。
英特尔认为,2021年的投资会加速利润的长期增长。面向下一个五年,随着供应恢复正常、投资推动产能提升以及行业领先产品的推出,英特尔预期其长期营利展望会以10%—12%的年增成长。对于毛利率,英特尔期望面向产能的投资和制程技术的加速发展,将推动毛利率在接下来的几年达到51%—53%(非一般公认会计准则)。未来几年,英特尔的资本支出增长会达到历史新高。
由于半导体供应短缺的制约,2021年英特尔两大主力业务营收变化不大,营收贡献最大的CCG(客户计算)业务年增1%,第二大业务DCG(数据中心)年跌1%。
相比之下,自动驾驶芯片业务正在小步快跑。年报显示,2021年Mobileye EyeQ SoC出货 2800万片,至今总出货量突破1亿片。2021年,Mobileye推出了包括专门为自动驾驶打造的EyeQ Ultra SoC,并计划在 2024年与吉利汽车旗下电动汽车品牌极氪共同推出全球首款L4级自动驾驶汽车,并与大众汽车集团和福特合作,在驾驶辅助系统中应用 Mobileye 的地图技术。
在自动驾驶行情火热及Mobileye出货量稳定增长的背景下,Mobileye的上市计划已经提上日程。英特尔宣布将于2022年年中通过新发行的Mobileye股票进行首次IPO的计划,推动Mobileye在美国上市。英特尔相信,创建一家独立上市公司的方式,将更好地为英特尔股东释放Mobileye的价值。
同样值得一提的是,英特尔在2021年开始向 OEM/ODM 客户提供代号Alchemist的Arc独显产品,并已经获得50多款产品设计。这也是英特尔时隔二十年重返独立显卡市场。这意味着,在拥有CPU、IPU并收购了FPGA企业Altera之后,英特尔XPU战略的重要拼图终于补齐。基于XPU产品家族的硬件基础,英特尔希望更好地满足企业用户多样化的计算需求,并使每位个人用户都能在1毫秒之内获取1petaflop(每秒钟1千万亿次运算)的算力与1petabyte(250字节)的数据。
海力士迭代更新
2021年,全球DRAM第二大龙头海力士实现了创纪录的年收入。全年营收43万亿韩元(约合355亿美元),年增35%;净利润9.6万亿韩元(约合79.5亿美元),年增102%。
对于海力士来说,2021年是产品规格与制程技术持续升级的一年。
去年10月,海力士开发了业界第一款HBM3 DRAM。HBM3是第四代高带宽存储技术,由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成,创新性地提高了数据处理速度。SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据,相当于能够在一秒内传输163部5GB的全高清电影。与上一代高带宽存储技术HBM2E相比,速度提高了约78%。
去年7月,海力士首次采用EUV技术量产DRAM。首批产品是第四代10纳米(1a)级工艺的 8Gb LPDDR4 DRAM产品。SK海力士1a纳米级DRAM领导小组副社长曹永万表示,此次量产的1a纳米级DRAM在生产效率和成本竞争力层面都有改善,从而可以期待更高的盈利。此后,海力士又采用EUV生产24Gb DDR5,这也是2021年业界单一芯片容量最大的DRAM产品。
SK海力士预测,供应链问题将在今年下半年逐渐消除,市场对内存产品的需求也会增加。为此,公司决定在DRAM事业上灵活运营库存,减少市场的变动性,继续集中于盈利能力的战略。在去年年底完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段程序后,海力士成立了美国子公司Solidigm,以期待公司的NAND闪存销售量比去年增加约1倍。
此外,海力士还强调了2022年的人才招聘计划,将于今年第一季度开始公开招聘大学毕业生和有经验的员工,涉及设计、测试、封装、SoC等多个领域,为构建龙仁半导体产业集群、启动美国子公司以及全面运作利川M16 Fab等未来成长动力做好准备。
来源:中国电子报、电子信息产业网 作者:张心怡
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